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            當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器

            • 2 - 13 μm , MCT 中紅外HgCdTe非冷卻多結光伏探測器 PVM系列

              2 - 13 μm , MCT 中紅外HgCdTe非冷卻多結光伏探測器 PVM系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的非冷卻紅外多結光伏探測器,具有好的性能和穩定性。探測器在λopt入射時性能好。它們在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大型有源區域探測器中效率很高。

              更新時間:2024-12-04
              產品型號:
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            • 2-13 um MCT中紅外非冷卻多結光伏探測器 PVM系列

              2-13 um MCT中紅外非冷卻多結光伏探測器 PVM系列 PVM系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的非冷卻紅外多結光伏探測器,具有優秀的性能和穩定性。探測器在λopt入射時性能佳。它們在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大型有源區域探測器中效率很高。

              更新時間:2025-07-10
              產品型號:
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            • 10.6um MCT中紅外 兩級TE冷卻 多結光伏探測器 PVM-2TE系列

              10.6um MCT中紅外 兩級TE冷卻 多結光伏探測器 PVM-2TE系列 PVM-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級TE冷卻紅外多結光電探測器,具有優秀的性能和穩定性。探測器在λopt入射時性能佳。它們在2 ~ 12 μm光譜范圍內工作的大型有源區域探測器中效率很高。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

              更新時間:2025-03-14
              產品型號:
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            • MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器

              2-12μm ,MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

              更新時間:2024-12-04
              產品型號:
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            • MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器

              2-12μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

              更新時間:2024-12-04
              產品型號:
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