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            當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器

            MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器

            產品簡介

            2 - 13 μm , MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器 PVMI-2TE系列采用光學浸沒的方式改善器件的參數,以達到好的性能和穩定性。探測器在λopt入射時性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。

            產品型號:
            更新時間:2024-12-04
            廠商性質:經銷商
            訪問量:878
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            品牌其他品牌產地類別進口
            應用領域化工,能源,建材,電子

            PVMI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級TE冷卻紅外多結光探測器,采用光學浸沒的方式改善器件的參數,以達到好的性能和穩定性。探測器在λopt入射時性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

            產品特點

            可探測中紅外光波范圍2-13μm

            可配專用前置放大器

            帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現光學浸沒,有效提升探測效率

            帶有防反射涂層窗口鏡,避免不必要的干擾

            帶有兩級TE冷卻,有效提高探測效率

            封裝及尺寸

            TO8型封裝外形尺寸圖

            23.jpg

            參量

            數值

            浸沒微型透鏡形狀

            超半球形

            光學區域面積AO;mm×mm

            1×1

            R,mm

            0.8

            A,mm

            3.2±0.30

            備注:

            ?—接收角度;

            R—超半球微型透鏡半徑

            A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


            2TE-TO8引腳定義

            功能

            PIN號

            探測器

            1,3

            反向偏壓(可選)

            1(-),3(+)

            熱敏電阻

            7,9

            TE冷卻器供應

            2(+),8(-)

            底板接地

            11

            未使用

            4,5,6,10,12



            2TE-TO66封裝尺寸圖

            備注:

            ?—接收角度;

            R—超半球微型透鏡半徑

            A—2TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


            參量

            數值

            浸沒微型透鏡形狀

            超半球形

            光學區域面積AO;mm×mm

            1×1

            R,mm

            0.8

            A,mm

            3.2±0.30


            TO66引腳定義

            功能

            PIN號

            探測器

            7,8

            反向偏壓(可選)

            7(-),8(+)

            熱敏電阻

            5,6

            TE冷卻器供應

            1(+),9(-)

            未使用

            2,3,4

            產品應用

            醫學熱成像

            紅外光譜分析

            中紅外氣體吸收檢測

            中紅外激光探測

            技術參數

            參數

            探測器型號

            PVMI-2TE-8

            PVMI-2TE-10.6

            有源元件材料

            外延MCT異質結構

            最佳波長λopt(μm)

            8

            10.6

            相對響應強度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

            ≥2.5×109

            ≥1.5×109

            相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

            ≥2×109

            ≥1×109

            電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

            ≥0.1

            時間常數T,ns

            ≤4

            ≤3

            電阻R,Ω

            150-1000

            90-350

            元件工作溫度Tdet,K

            ~230

            感光面尺寸A,mm×mm

            1×1

            封裝

            TO8,TO66

            接收角Φ

            ~36°

            窗口

            wZnSeAR


            探測器光譜響應特性曲線

            PVIM-2TE.jpeg

            熱敏電阻特性曲線

            PV-2TE1.jpeg

            兩級TE冷卻參數表

            參量

            數值

            Tdet , K

            ~230

            Vmax , V

            1.3

            Imax , A

            1.2

            Qmax , W

            0.36


            抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

            5.png



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