熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
CO2激光光譜分析儀
中紅外QCL激光器QCL8600FP高功耗臺式FP-QCL
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
IRV2000-1X1倍紅外觀察鏡 350-2000nm,分辨率 60lp/mm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
FLEX-BF裸光纖研磨機
VCSEL-795-0.13795 nm , VCSEL單模垂直腔面發射激光器
product
產品分類
GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。
更新時間：2025-01-20
產品型號：THZ-GASE-5-5-1
瀏覽量：1411
當前位置：
