894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發射激光器GaAs：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。

1567nm VCSEL垂直腔面發射激光器 1.0mW：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

760nm 單模VCSEL激光器 1mw Philips：Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm、764nm激光器， 760nm用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

850±10nm單模VCSEL激光器：Philips借經過優化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩定性。