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            當前位置:首頁產品中心半導體連續激光器VCSEL激光器850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

            850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

            產品簡介

            筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
            850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

            產品型號:
            更新時間:2024-12-06
            廠商性質:經銷商
            訪問量:1386
            詳細介紹在線留言
            品牌其他品牌價格區間面議
            組成要素半導體激光器產品及設備產地類別進口
            應用領域化工,建材,電子

            850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器 850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

            我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。


            通用參數

            產品特點:

            單橫模和單縱模

            偏振穩定發射

            低功耗

            高可靠性

            高斯光束分布

            背面陰極和頂部陽極配置

            通過RoHS認證

             

            產品應用:

            激光鼠標

            光學傳感器應用

            光電編碼器

             

            光電特性:

            操作條件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

             

            參數

            符號

            最小

            典型

            最大

            單位

            備注

            閾值電流

            ITH

            1

            3

            5

            mA

            T = 25°C

            斜率效率

            η

            0.20

            0.40

            0.65

            mW/mA

            T = 25°C, I = Ith+1mA

            工作電流

            IOP

            2.3


            6

            mA

            T = 25°C, Pop=0.55mW

            工作電壓

            UOP



            2.3

            V

            工作條件

            微分電阻

            Rd

            20


            90

            ?

            T = 25°C,   Pop=0.55mW

            SM光輸出功率

            PSM

            0.9



            mW

            T = 25°C

            邊模抑制比

            SMSR

            10



            dB

            T = 25°C, Pop=0.9mW

            偏振方向的精度

            δpo

            -15


            +15

            deg

            T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

            發射波長

            λpeak

            840

            850

            860

            nm

            工作條件

            光束發散性

            θFW1/e2

            13

            17

            21

            deg

            T = 25°C, Pop=0.5mW

            光功率隨溫度的變化

            P(T) – Pop

            -200


            +120

            µW

            Iop, T=5...45°C

            SM=單個模式;FW1/e2=全寬1/e2

             

            絕對最大額定參數

            參數

            最大值

            單位

            備注

            連續工作電流

            8

            mA

            3

            連續反向電壓

            8

            V


            PCB焊料或回流溫度

            260

            °C

            最多10秒

             

            封裝尺寸:芯片尺寸

            參數

            最小

            典型

            最大

            備注

            芯片寬度

            135

            155

            175

            µm

            芯片長度

            135

            155

            175

            µm

            芯片厚度

            135

            150

            165

            µm

             


             


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