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            當前位置:首頁產品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

            2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

            產品簡介

            2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

            PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。

            產品型號:
            更新時間:2024-12-06
            廠商性質:經銷商
            訪問量:1288
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            品牌其他品牌產地類別進口
            應用領域化工,能源,建材,電子

            2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

            PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。 

            光譜響應
            2.15-3.5um
            技術參數

            產品特點

             可探測紅外波長范圍2-5.5μm

            可配專用前置放大器

            高溫度穩定性與機械耐久性

            帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒,提升探測器的性能


            產品應用

            熱成像

            FTIR光譜學

            激光外差探測

            中紅外氣體分析



            參數

            探測器型號

            PVIA-3

            PVIA-5

            有源元件材料

            外延InAs異質結構

            外延InAsSb異質結構

            最佳波長λopt(μm)

            2.15±0.2

            2.3±0.2

            峰值波長

            Peak wavelength λpeak, µm

            2.95±0.3

            4.7±0.3

            截止波長

            Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm

            3.5±0.2

            5.5±0.2

            探測率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W

            ≥5×1010

            ≥5×109

            電流響應度Ri (λpeak), A/W


            ≥1.1

            ≥1.2

            時間常數T,ns

            ≤20

            ≤15

            電阻R,Ω

            PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70

            感光面尺寸A,mm×mm

            1×1

            封裝

            TO39

            接收角Φ

            ~36°

            窗口


            探測器光譜響應特性曲線

            PVIA.png


            封裝及尺寸

            TO39型封裝外形尺寸圖


            PVIA1.pngPVIA2.png


            下載

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