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            當前位置:首頁產品中心光學無源器件晶體/棱鏡/窗片TL-ZP-401紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe

            紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe

            產品簡介

            紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe 本產品由于具有*的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學非線性晶體,在中紅外和遠紅外應用方面已經贏得了人們極大的興趣。它們的應用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對溫

            產品型號:TL-ZP-401
            更新時間:2024-12-04
            廠商性質:經銷商
            訪問量:1125
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            品牌其他品牌產地類別進口
            應用領域醫療衛生規格7x5x15mm

            紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe 本產品由于具有*的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學非線性晶體,在中紅外和遠紅外應用方面已經贏得了人們極大的興趣。它們的應用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對溫度穩定性和振動控制沒有苛刻的要求,可以進行良好的機械加工( GaSe除外)。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS


            1、AgGaS2 硫鎵銀晶體

            AgGaS2簡稱AGS晶體,中文名是硫鎵銀晶體,他的透光波段為0.53至12 µm。雖然其非線性光學系數在上述提到的紅外晶體中是最小的,但是其邊緣為550 nm短波長高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量應用于利用二極管、摻鈦藍寶石、Nd:YAG和紅外燃料激光器進行的差頻混頻實驗,直接紅外對抗系統,以及CO2激光倍頻。通過信號和飛秒OPO系統駐波的差頻,硫鎵銀晶體薄片在中紅外波段超短脈沖發生方面用的很普遍。


            14 mm長鍍增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶體的透過光譜


            AgGaS2晶體1型 OPO 和SHG調諧曲線



            2、ZnGeP2晶體(簡稱ZGP晶體),磷鍺鋅晶體

            ZnGeP2磷鍺鋅晶體的透光波段為0.74至12 µm,其中有用的透光范圍從1.9至10.6 µm。 ZnGeP2擁有最大的非線性光學系數和較高的激光損傷閾值。它成功地應用于以下應用領域:

            ■ 通過與10.6 µm 波長混頻的 CO2激光的上轉換;

            ■ CO和 CO2 激光輻射的和頻;

            ■ 脈沖式CO、CO2 和DF化學激光的高效倍頻;餌和鈥激光泵浦時的中紅外OPO光的發生。

            E K S M A 光 學 提 供 具 有 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶體,更好的適應OPO或OPA應用,然后泵浦2.05-2.1 µm,鍍增透膜。




            ZnGeP2晶體1型OPO和SHG調諧曲線




            ZnGeP2晶體在2 µm附近的吸收光譜




            15 mm長鍍增透膜ZnGeP2晶體OPO@2.1 µm 的透過光譜


            3、AgGaSe2 硒鎵銀晶體

            AgGaSe2硒鎵銀晶體晶體的透光波段在0.73至18 µm波段之間。其有用透光范圍0.9-16 µm及寬的相匹配能力,在被多種當前常用激光泵浦時,能為OPO應用提供具潛力的應用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下,已經獲得2.5-12 µm的波長,以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下,獲得1.9-5.5 µm的非臨界相位匹配操作。脈沖式CO2激光的高效倍頻已經得到證明。




            AgGaSe2晶體1型OPO和SHG調諧曲線




            18 mm長無鍍膜AgGaSe2晶體的透過光譜


            25 mm長鍍增透膜的AgGaSe2晶體的透過光譜



            4、GaSe硒化鎵

            GaSe 硒化鎵晶體 的 透 光 波 長 在 0 . 6 5 至18 µm之間. GaSe晶體已經成功的應用于以下方面:CO2 激光的高效倍頻,脈沖式CO、CO2和DF化學 激光(λ = 2.36 µm)倍頻,CO和CO2激光向可見光的上轉換,通過釹和紅外燃料激光器或(F-)-centre激光脈沖的差頻混頻產生紅外脈沖,3.5–18 µm范圍內 OPG光的發生,飛秒脈沖泵浦時0.2-5 THz范圍的高效太赫茲發生。由于材料結構(沿(001)平面切開)限制了應用領域,為了得到特定相位匹配角的晶體切割是不可能的。





            物理特性:

            晶體

            ZnGeP2

            AgGaSe2

            AgGaS2

            GaSe

            ZnTe

            晶體對稱性

            四方

            四方

            四方

            六角

            立方閃鋅礦

            點群

            42m

            42m

            42m

            62m

            43m

            晶格常數, ? a

            5.465

            5.9901

            5.757

            3.742

            6.1037

            c

            10.771

            10.8823

            10.305

            15.918

            -

            密度, g/cm3

            4.175

            5.71

            4.56

            5.03

            5.633



            光學特性:

            晶體

            ZnGeP2

            AgGaSe2

            AgGaS2

            GaSe

            ZnTe

            透光范圍,µm

            0.74-12

            0.73-18

            0.53-12

            0.65-18

            0.65-17

            折射率@






            1.06 µm

            no

            3.2324

            2.7005

            2.4508

            2.9082

            2.7779

            ne

            3.2786

            2.6759

            2.3966

            2.5676

            5.3 µm 

            no

            3.1141

            2.6140

            2.3954

            2.8340

            2.6974

            ne

            3.1524

            2.5823

            2.3421

            2.4599

            10.6 µm

            no

            3.0725

            2.5915

            2.3466

            2.8158

            2.6818

            ne

            3.1119

            2.5585

            2.2924

            2.4392



            吸收系數, cm-1 @






            1.06um

            3.0

            <0.02

            <0.09

            0.25

            -

            2.5um

            0.03

            <0.01

            0.01

            0.05

            -

            5.0um

            0.02

            <0.01

            0.01

            0.05

            -

            7.5um

            0.02

            -

            0.02

            0.05

            -

            10.0um

            0.4

            -

            <0.06

            0.05

            -

            11.0um

            0.8

            -

            0.06

            0.05

            -



            非線性光學特性:

            晶體

            ZnGeP2

            AgGaSe2

            AgGaS2

            GaSe

            ZnTe

            激光損失閾值, MW/cm2

            60

            25

            10

            28

            -

            @脈寬, ns

            100

            50

            20

            150

            -

            @波長, µm

            10.6

            2.05

            1.06

            9.3

            -

            非線性, pm/V

            111

            43

            31

            63

            -

            Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg

            76

            55

            67

            14

            -

            Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57

            0.57

            0.67

            0.85

            3.4

            -



            熱學特性:

            晶體

            ZnGeP2

            AgGaSe2

            AgGaS2

            GaSe

            ZnTe

            熔點, oC

            1298

            851

            998

            1233

            1295

            熱膨脹系, 10-6/oK






            17.5(a)

            23.4(c)

            12.5

            9.0

            8.0

            9.1(b)

            18.0(d)

            -

            -

            -

            1.59(a)

            -6.4(c)

            -13.2

            8.25

            -

            8.08(b)

            -16.0(d)

            -

            -

            -

            @ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K



            計算折射率的SELLMEIER方程:

            晶體

            A

            B

            C

            D

            E

            F

            表達式

            ZnGeP2

            no

            8.0409

            1.68625

            0.40824

            1.2880

            611.05

            -

            n2=A

            +Bλ2/(λ2-C)

            +Dλ2(λ2-E)

            ne

            8.0929

            1.8649

            0.41468

            0.84052

            452.05

            -

            AgGaSe2

            no

            6.8507

            0.4297

            0.15840

            0.00125

            -

            -

            n2=

            A+B/(λ2-C)

            -Dλ2

            ne

            6.6792

            0.4598

            0.21220

            0.00126

            -

            -

            AgGaS2

            no

            3.3970

            2.3982

            0.09311

            2.1640

            950.0

            -

            n2=

            A+B/(1-C/λ2)

            +D/(1-E/λ2)

            ne

            3.5873

            1.9533

            0.11066

            2.3391

            1030.7

            -

            GaSe

            no

            7.443

            0.405

            0.0186

            0.0061

            3.1485

            2194

            n2=

            A+B/λ2+C/λ4+D/λ6

            +E/(1-F/λ2)

            ne

            5.76

            0.3879

            -0.2288

            0.1223

            1.855

            1780

            ZnTe

            No, ne

            9.92

            0.42530

            0.37766

            2.63580

            56.5

            -

            n2=

            A+B/(λ2-C2)

            +D/(λ2/E2-1)



            可以根據客戶要求提供的其它晶體有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

            ZnTe/碲化鋅:

            碲化鋅晶體在<110>方向被用于通過光整流過程來產生太赫茲。光整流效應是晶體的二階非線性光學效應,也是一種特殊的差頻效應。對于有一定帶寬的飛秒激光脈沖,不同的頻率分相互作用產生從0到幾太赫茲的帶寬。太赫茲脈沖的整流是通過碲化鋅晶體另一個<110>方向內自由空間電光整流產生的。太赫茲脈沖和可見光脈沖在碲化鋅晶體內直線傳播時,太赫茲脈沖在碲化鋅晶體內產生雙折射,這一現象被線偏振可見光脈沖讀出。當可見光脈沖和太赫茲脈沖同時在同一晶體內傳播時,可見偏振光在太赫茲脈沖作用下產生旋光,用一個λ/4波片和一個分束偏振器以及一組平衡光電二極管,通過監控可見光脈沖從碲化鋅晶體出射后的偏振旋轉相對于太赫茲脈沖的一組延遲時間,就可以監測太赫茲脈沖的振幅軌跡。能夠讀出完整的電場、振幅和延遲,是時域太赫茲光譜的魅力之一。

            碲化鋅也被用于紅外光學元件基板和真空沉積。我們可提供尺寸為?40x30 mm的光學元件。


            注意: 碲化鋅含有微氣泡,這并不影太赫茲的產生,然而,它們在晶體被照明時的投影下是可見的。我們不接受關于晶體內有氣泡的投訴。



            如何訂購:ZnGeP2 (ZGP) Crystals

            貨號

            Size, mm

            θ

            φ

            鍍膜

                  標注

               交貨期

            TL-ZP-401

            7x5x15 mm

            54°

            AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

            OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

            3周

            TL-ZP-402

            7x5x20 mm

            54°

            AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

            OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

            3周

             TL-ZP-403

            7x5x25 mm

            54°

            AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

            OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

            6周



            AgGaS2 (AGS) Crystals

            貨號

            Size, mm

            θ

            φ

            鍍膜

            標注

            含稅單價

            交貨期

            TAGS-401H

            5x5x1 mm

            39°

            45°

            BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

            DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

            9800 元

            1周

            TAGS-402H

            6x6x2 mm

            50°

            BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

            DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

            16450元

            聯系我們

            TAGS-403H

            5x5x0.4 mm

            34°

            45°

            BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

            SHG @ 3-6 μm, Type 1

            12300元

            1周

            TAGS-801H

            8x8x0.4 mm

            39°

            45°

            BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

            DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

            26800元

            1周

            TAGS-802H

            8x8x1 mm

            39°

            45°

            BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

            DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

            23490元

            1周

            AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.


            關于質量控制實驗室:

            Terahertzlabs光學的質量控制實驗室通過使用高度專業化的設備和工藝,能夠為客戶提供高質量的精密光學元件。質量控制實驗室配備了防振光學平臺、層流罩和超聲波清洗機,此外還配備了一系列高精度的測量設備來進行各種各樣的測試。


            光學測試:

            1, Genesys-2 分光光度計:用于200-1100 nm波段透過率的精密測量;

            2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透過率和反射率的精密測量,激光光  束直徑<1 mm;

            3,  ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波長測量面形和透過波前畸變的計算機控制科學干涉儀,標準具精度lambda/20;

            4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波長1064、532、355和266 nm,用于晶體角切精度測量、晶體效率和方向性測試;

            5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;

            6,G-5 Ganiometers – 用于測量棱鏡和楔角片角度,以及平面光學元件

            的平行度和塔差;

            7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大顯微鏡,帶CCD相機,用于表面質

            量檢測;

            8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;

            實驗室能力:

            光學實驗室具有如下能力:

            1,光學和幾何參數測量,如焦距、折射率、曲率半徑、角度和塔差,用于波長轉換(二、三次倍頻)的光軸方向測量;

            2,表面質量測量,按照MIL、ISO或DIN標準;

            3, 平面度測量:波前畸變(反射和透過光束);

            4, 棱鏡和楔角片角度測量,平面元件的平行度測量;

            5,材 料 和 薄 膜 鍍 膜 光 譜 測 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 過 率 測 量 ( 2 0 0 -2300 nm);

            6, 用ZEMAX軟件進行光學設計。

            關于晶體選擇列表僅供客戶參考:

            A-F系列

            G-H系列

             L-N系列

             P-Z系列

            Al2O3

            GaTe

            LaAlO3

            PbWO4

            Al

            GaN

            LiTaO3

            PbF2

            Au

            GaP

            LiNbO3

            PbS

            Ag

            Ga:ZnO

            LiF

            PIN-PMN-PT

            AlN 單晶

            GdScO3

            LSAT

            PMN-PT

            BaF2

            GaSb

            LaF3

            SrTiO3 (國產,進口,Ti面終止SrTiO3)

            BaTiO3

            GaAs

            LiAlO2

            SrLaAlO4

            BGO

            Graphite(普通;熱解)

            LGS 硅酸鎵鑭

            SrLaGaO4

            BSO

            GaSe

            LiGaO2

            Si(?超薄Si片)

            Bi2Te3

            GGG (Gd3Ga5O12)

            LGT鉭酸鎵鑭

            SiC?(4H,6H,3C)

            Bi2Se3

            Ge

            MgAl2O4 

            SBN

            Bi2Se2Te

            Hg(1-x)Cd(x)Te

            MgF2

            SiO2(玻璃和單晶)

            Bi2Te2Se

            InP

            MgO

            Si-Ge

            BP 黑磷

            InAs

            MoSe2

            TiO2(銳鈦礦型,金紅石型)

            CdS

            InSb

            MoS2

            TbScO3

            CsI (TI)

            KH2PO4

            MoTe2

            TGG

            CaCO3

            KTaO3

            MgO:LiNbO3

            TeO2

            Cu(單晶)

            KTa 1-X NbXO3

            NdCaAlO4

            WTe2

            CdSe

            KCl

            NaCl

            WS2

            Ce:Lu2SiO5

            KTN

             Nb:SrTiO3 (國產,進口)

            WSe2

            CdWO4

            HOPG

            NdGaO3

            YAG

            CdZnTe


            NaCl

            YSZ

            CdTe


            Ni

            YAlO3

            CeF2



            YVO4

            CaF2



            ZnTe

            DyScO3



            ZnSe

            Fe:SrTiO3



            ZnO

            Fe3O4



            ZnS

            Fe2O3



            Zero diffraction plate (Si 和SiO2)


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