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            當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器3μm中紅外MCT兩級TE冷卻光電探測器2-12μm

            3μm中紅外MCT兩級TE冷卻光電探測器2-12μm

            產品簡介

            3μm中紅外MCT兩級TE冷卻光電探測器2-12μm ,PV-2TE系列反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態范圍,以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

            產品型號:
            更新時間:2024-12-04
            廠商性質:經銷商
            訪問量:856
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            品牌其他品牌產地類別進口
            應用領域化工,能源,建材,電子

            PV-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光探測器,具有好的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態范圍,以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

            產品特點

            含有兩級TE制冷以提高探測器性能

            可探測中紅外波長范圍2-12μm

            可配專用前置放大器

            帶有抗反射涂層窗口鏡

            封裝及尺寸

            2TE-TO8封裝尺寸圖

            2TE-TO8引腳定義

            功能

            PIN號

            探測器

            1,3

            熱敏電阻

            7,9

            TE冷卻器供應

            2(+),8(-)

            底板接地

            11

            未使用

            4,5,6,10,12


            2TE-TO66封裝尺寸圖

            2TE-TO66引腳定義

            功能

            引腳編號

            探測器

            7,8

            熱敏電阻

            5,6

            TE致冷供給

            1(+),9(-)

            未使用

            2,3,4

            產品應用

            醫學熱成像

            紅外光譜分析

            中紅外氣體吸收檢測

            中紅外激光探測

            技術參數

            參數

            探測器型號

            PV-2TE-3

            PV-2TE-3.4

            PV-2TE-4

            PV-2TE-5

            PV-2TE-6

            PV-2TE-8

            PV-2TE-10.6

            有源元件材料

            外延MCT異質結構


            波長λopt,μm

            3

            3.4

            4

            5

            6

            8

            10.6

            探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

            ≥1×1011

            ≥6×1010

            ≥4×1010

            ≥1.5×1010

            ≥5×109

            ≥4×108

            ≥2×108

            探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

            ≥7×1010

            ≥4×1010

            ≥3×1010

            ≥9×109

            ≥2×109

            ≥2×108

            ≥1×108

            電流響應度Ri(λopt),A/W

            ≥0.5

            ≥0.8

            ≥1.0

            ≥1.3

            ≥1.5

            ≥0.8

            ≥0.4

            時間常數T,ns

            280

            200

            ≤100

            ≤80

            ≤50

            ≤45

            ≤10

            電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2

            ≥150

            ≥3

            ≥2

            ≥0.1

            ≥0.02

            ≥0.0002

            ≥0.0001

            有源元件溫度Tdet,K

            ~230

            感光面面積A,mm×mm

            0.05×0.05,0.1×0.1

            0.05×0.05

            封裝

            TO8,TO66

            接收角Φ

            70°

            窗口

            wAl2O3

            wZnSeAR


            探測器光譜響應特性曲線

            PV-2TE.jpeg

            熱敏電阻特性曲線

            PV-2TE1.jpeg

            兩級TE冷卻參數表

            參量

            數值

            Tdet , K

            ~230

            Vmax , V

            1.3

            Imax , A

            1.2

            Qmax , W

            0.36


            抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

            PV-2TE2.jpeg

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