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光電探測器
400-828-1550
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光電探測器基本參數介紹 - 筱曉小課堂
關于光纖分布式振動傳感的研究 - 筱曉光子
了解光電探測器的基本工作原理
半導體光電探測器的主要參數說明
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 感光直徑1.0mm
Si雪崩平衡探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC
Si雪崩平衡探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC
Si雪崩平衡探測器 300MHz 400-1100nm FC/APC
服務熱線:18602170419