QCL5184DFB-5.18um高功耗臺式DFB-QCL中紅外量子級聯激光器是筱曉2019上半年開發出的中紅外測試激光，大氣窗口低損耗有利于空間光通訊測試研究。我們的臺式光源功率高不需要ITAR審核，是目前商用中紅外測試光源的優秀選擇。超過100nm的可調諧范圍，輸出功率大于100mw滿足客戶測試的工業需求。我們的激光器內置Znse準直輸出輸出功率穩定，溫度波長穩定性*比傳統大功耗的量子級聯激

760nm單模垂直腔面發射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內置防靜電（ESD）保護.

垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。