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            技術文章

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            850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管 產品介紹

            更新時間:2022-09-19點擊次數:1373

            PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應用而設計。

            中心波長
            850nm
            通用參數

            產品特點:

            電學和光學特性對溫度的依賴性較低

            垂直腔面發射激光器

            內部TEC和熱敏電阻,ESD保護

            窄線寬

            2nm可調諧

             

            產品應用:

            長途電話接入網

            局域網

            以太網


            光電參數 條件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有說明(TO P=芯片背面溫度,由TEC控制)

             

            參數

            符號

            最小

            典型

            最大

            單位

            備注

            工作波長

            λR

            850nm

            閾值電流

            ITH


            1


            mA


            輸出功率

            Popt

            0.5

            1


            mW


            閾值電壓

            UTH


            1.8


            V


            工作電流

            IOP


            3


            mA

            Popt =   0.5mW

            工作電壓

            UOP


            3


            V

            Popt =   0.5 mW

            光電轉換率

            ηWP


            12


            %

            Popt =   0.5 mW

            斜率效能

            ηS


            0.3


            W/A


            上升和下降時間

            Tr     /Tf


            90/120


            Psec


            微分串聯電阻

            RS


            100

            200

            Ω

            Popt =   0.5 mW

            3dB   調制帶寬

            ν3dB

            0.10

            2.5


            GHz

            Popt =   0.5 mW

            Due   to   ESD protection diode

            相對噪聲強度

            RIN


            -130

            -120

            dB/Hz

            Popt =   0.3 mW @ 1   GHz

            波長電流調諧系數



            0.6


            nm/mA


            波長溫度調諧系數



            0.06


            nm/K


            熱敏電阻(VCSEL chip)

            Rthermal

            3


            5

            K/mW


            邊模抑制比(SMSR)


            35



            dB

            I   = 2 mA

            光束發散角

            θ

            10


            25

            °

            Popt =   0.5mW, full width 1/e2

            光譜寬度



            100


            MHz

            Popt =   0.5 mW

             

            Tec 特性

            單位

            最小

            典型

            最大

            備注

            Tec 電流

            mA

            -150(Heating)


            +300(Cooling)

            Proper   Heart Sink Required

            NTC 熱敏電阻

            9.5

            10.0

            10.5

            T=25℃@10 KΩ

            NTC 熱敏電阻

            10/exp

             

             

            光譜圖





            L-I 曲線(T@25°C)




            溫度/波長調諧曲線@TEC電流




            激光光斑圖(2D/3D)



            光束輪廓

            在遠場中,單模VCSEL的強度分布是wan美的高斯形狀





            絕對最大值參數

            參數

            單位

            最小

            典型

            最大

            存儲溫度

            -40

            25

            125

            芯片溫度

            +10

            25

            40

            工作電流

            mA

            0

            3.0

            5.0

            正向電壓

            V

            0.8

            3.0

            4.8

            TEC 電流

            mA

            -150

            -

            +300

            焊接溫度*

            100

            130

            260

            功耗

            mw

            -

            -

            5

             

            (*TEC溫度必須低于150℃)

             


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